Material: - dotiertes Germanium oder Silber

- Halbleiterschicht so dann, daß von Licht durchsetzbar

- meist in lichtundurchlässigen Gehäusen mit kleiner Öffnung

(oft mit noch mit Glaslinse zu Bündelung)

- lichtempfindliche Schicht etwa 1mm2

Betrieb: - Anschluß im Unterschied zum Widerstand, richtungsabhängig

- Betrieb: stets in Sperrichtung, sonst sowieso leitend

Eigenschaften: - geringer Dunkelstrom, hochohmig

- geringere Strombelastung gegenüber Widerstand

=> keine direkte Ansteuerung von Relais, Verstärker nötig

- geringe Verlustleistung 20 bis 100mWatt, wenig belastbar

(bis 100 mikro-Ampere)

- erkennbare Wechselvorgänge bis 100kHz => Datenübertragung

- größte spektrale Empfindlichkeit im Infra-Rot-Bereich

- Si- im sichtbaren empfindlicher als Ge-Dioden

- aktives Bauelement

- Temperaturabhängigkeit sehr gering

- sehr kleine Bauweise (>1mm Durchmesser) => Mikroelektronik

- auch als Photoelement verwendbar;

mit zunehmender Beleuchtung, zunehmende Spannung

(bei 100 Lux 100 bis 400 mV) Anwendung im Phototransistor

Schaltzeichen

Anwendung: - Abtasten von Filmstreifen (Tonspur)

- früher Abtasten von Lochstreifen

- codierte Briefverteilung (Barcodes, CD-Player)

- in Verbindung mit LED: Lichtschranken, Optokoppler

- Infrarot Fernbedienung

- Lichtmessung

- großflächige Siliziumfotodioden als Solarzellen (10%)