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| ISBN: 3527407464 ISBN: 3527407464 ISBN: 3527407464 ISBN: 3527407464 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Wir empfehlen: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Material: - dotiertes Germanium oder Silber
- Halbleiterschicht so dann, daß von Licht
durchsetzbar
- meist in lichtundurchlässigen Gehäusen mit
kleiner Öffnung
(oft mit noch mit Glaslinse zu Bündelung)
- lichtempfindliche Schicht etwa 1mm2
Betrieb: - Anschluß im Unterschied zum Widerstand,
richtungsabhängig
- Betrieb: stets in Sperrichtung, sonst sowieso
leitend
Eigenschaften: - geringer Dunkelstrom, hochohmig
- geringere Strombelastung gegenüber
Widerstand
=> keine direkte Ansteuerung von Relais,
Verstärker nötig
- geringe Verlustleistung 20 bis 100mWatt, wenig
belastbar
(bis 100 mikro-Ampere)
- erkennbare Wechselvorgänge bis 100kHz =>
Datenübertragung
- größte spektrale Empfindlichkeit im
Infra-Rot-Bereich
- Si- im sichtbaren empfindlicher als
Ge-Dioden
- aktives Bauelement
- Temperaturabhängigkeit sehr gering
- sehr kleine Bauweise (>1mm Durchmesser) =>
Mikroelektronik
- auch als Photoelement verwendbar;
mit zunehmender Beleuchtung, zunehmende
Spannung
(bei 100 Lux 100 bis 400 mV) Anwendung im
Phototransistor
Schaltzeichen
Anwendung: - Abtasten von Filmstreifen (Tonspur)
- früher Abtasten von Lochstreifen
- codierte Briefverteilung (Barcodes, CD-Player)
- in Verbindung mit LED: Lichtschranken,
Optokoppler
- Infrarot Fernbedienung
- Lichtmessung
- großflächige Siliziumfotodioden als
Solarzellen (10%)
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