- höchste Empfindlichkeit für rotes und infrarotes Licht

- passives Bauelement => grundsätzlich Stromquelle (Photoelement)

- relativ träge, Wechselvorgänge max. 100 bis 1000Hz (3kHz)

- hoch belastbar, direkte Ansteuerung von Relais ohne Verstärker

- Verlustleistung 1,05 bis 1,2 Watt

- Geringe Temperaturabhängigkeit

Einsatz: - Lichtschranke (Einbruchsicherung, infrarot, Rolltreppe, Türöffner)

- Fotoapparat (automatischer Belichtungsmesser)

Photodiode

Diode allgemein: PN-Übergang (Verarmungszone)

- Mitte: Ladungsausgleich,

Rekombinierung, Diffusion

=> isolierte Schicht,

keine freien Elektronen

Schwellen-, Diffusionsspannung: P-Schicht negativ,

N-Schicht positiv geladen

- zieht Elektronen wieder zurück => Gleichgewicht

- innere Spannung von außen nicht nachweisbar

- Höhe materialabhängig: Ge 0,25;Si 0,7; Se 0,6

Plus an P-Schicht und Minus an N-Schicht:

- Elektronen aus N-Schicht werden über Übergang gedrückt

(erst Diff.-Spannung überwinden!) => Stromndurchlässig

Schleußenspannung

Minus an P-Schicht und Plus an N-Schicht:

- Elektronen aus N werden vom Pluspol eingesaugt

Löcher in P von Minus besetzt => keine freien Ladungsträger

=> Diode sperrt, Isolator

- bei sehr starker Spannung: Durchschlag => Zerstörung der Diode

- winziger Sperrstrom 1nA durch Minoritätsträger,

normalerweise vernachlässigbar